合肥沛顿一期项目封顶,达产后将年产内存模组

摘 要

  据沛顿科技公众号消息, 6月26日,合肥沛顿存储科技有限公司一期存储封测与模组制造项目正式封顶。 深科技在与合肥市政府达成投资协议后,与国家大基金二期、合肥产投、中电聚

据沛顿科技公众号消息, 6月26日,合肥沛顿存储科技有限公司一期存储封测与模组制造项目正式封顶。

深科技在与合肥市政府达成投资协议后,与国家大基金二期、合肥产投、中电聚芯于2020年10月30日注册成立了合肥沛顿存储科技有限公司,经后续增资后,各方持股比例如下,深科技沛顿持股55.88%,大基金二期持股31.05%,合肥经开持股9.80%,中电聚芯持股3.27%。


来源:公开信息

其中,深科技沛顿为深科技旗下的全资子公司,原是金士顿于中国国内投资建设的外商独资企业,是华南地区最大的DRAM和Flash芯片封装测试企业,其存储芯片封测产品主要包括DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4 、3D NAND以及Fingerprint指纹芯片等。

合肥沛顿存储项目占地面积约178亩,一次性规划,分期建设,于2021年3月启动建设,在不到4个月的时间里,取得了一期项目顺利封顶的阶段性成果。按照建设规划,项目将于今年9月底完成全部建设任务,10月初进驻生产设备,力争于今年年底实现投产并形成有效产能。项目达产后,预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力,预计可实现年营收28亿元左右。




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